本次报告将会对用无损、大面积方法表征石墨烯电学性质的最新进展做一个概述.该表征会获得场效应测量值的相似信息，避免难处理、慢、破坏性制造和系列器件表征等问题.在太赫兹时域光谱学中，通过石墨烯太赫兹脉冲的传输可以直接转换成复合导电性，使在几个小时甚至几分钟形成整个石墨烯晶片的空间制图成为可能.通过与另一种无损检测技术的对比，对于微-四探针，我们能够评价它从纳米到微米的几个长度尺度上的电连续性(可以判断是否一个CVD石墨烯膜是严格的二维结构k我们可以发现在单晶铜上生长的石墨烯会比在商品铜上生长的石墨烯更加连续，这是从线缺陷或晶界来的非-德鲁德优先后向散射的明显新号.最近，我们推出了太赫兹透明后门，用来调节在太赫兹时域光谱(THz-TDS)测量中的载流子密度，从而区分载流子密度和流动性对电导率的不同贡献，其空间分辨率约300 μm.我们现在正在开发一种即使没有入口也能大面积流动制图的路径，并且正在研究除了硅片以外的兼容基底.最后，我们将对在石墨烯生产过程中太赫兹时域光谱(THz-TDS)快速联机表征的集成化前景，以及要解决的挑战进行讨论.本次研究是和丹麦技术大学光子工程学院的Prof.Jepsen合作进行的.