【摘 要】
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研究了物理气相法制备氮化铝晶体的过程中生长条件的改变对晶体生长的影响.实验中,采用带石墨环的坩埚组件可以避免高温下钨坩埚体和盖的粘结问题.随着生长温度的升高,氮化铝
【机 构】
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深圳大学光电子学研究所,深圳,518060
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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研究了物理气相法制备氮化铝晶体的过程中生长条件的改变对晶体生长的影响.实验中,采用带石墨环的坩埚组件可以避免高温下钨坩埚体和盖的粘结问题.随着生长温度的升高,氮化铝晶体的形态从晶须过渡到棱形晶位.温度高于1950℃时,才能制备出颗粒状氮化铝晶体.同时,研究了过饱和压对晶体生长的影响.目前,已经制备出直径为1mm的高质量的六棱柱形的氮化铝单晶,最大的单晶体的直径达2mm。
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