【摘 要】
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文中基于MCM-D薄膜工艺开展了层叠芯片互连装配技术相关的芯片层叠,低弧度细节距金丝键合等工艺技术研究.采用单组分绝缘胶，解决了悬垂型层叠结构层间芯片和垫片粘接问题;采用
【机 构】
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中国电子科技集团第二十四研究所,重庆 400060
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
论文部分内容阅读
文中基于MCM-D薄膜工艺开展了层叠芯片互连装配技术相关的芯片层叠,低弧度细节距金丝键合等工艺技术研究.采用单组分绝缘胶，解决了悬垂型层叠结构层间芯片和垫片粘接问题;采用SSB反向键合方式实现了低弧度键合问题，键合丝拱丝高度控制在100μm以下，解决了芯片层叠间隙中的键合问题，实现了叠层芯片达四层的层叠封装结构。通过解决层叠芯片关键技术问题，结合开发的凸点倒扣焊工艺、LTCC多层基板基板工艺以及薄膜内埋置多层布线工艺，通过设计和仿真，制备出系统级封装工艺样品，电性能和可靠性均达到设计要求.
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