【摘 要】
：
柔性电子产品的出现，解决了传统硬质电子产品容易破碎且不方便携带等缺点.作为柔性电子产品的基础，柔性存储技术的研究是目前存储器领域的重要研究方向之一.CuSCN薄膜是一
【机 构】
：
复旦大学材料科学系,上海,200433
【出 处】
：
TFC`15全国薄膜技术学术研讨会
论文部分内容阅读
柔性电子产品的出现，解决了传统硬质电子产品容易破碎且不方便携带等缺点.作为柔性电子产品的基础，柔性存储技术的研究是目前存储器领域的重要研究方向之一.CuSCN薄膜是一种可用于电存储器件的可擦写的阻变存储器材料.本文通过在柔性PET基底上使用真空热蒸发镀膜技术，沉积一层厚度约为200nm的Cu膜，再浸泡在一定浓度的KSCN溶液中，通过固-液界面反应，在Cu膜上原位生成一层CuSCN薄膜.最后，再蒸镀沉积一层Al膜作为电极，制备和研究了可弯曲的Al/CuSCN/Cu电存储器件.拉曼光谱和X-射线衍射测试证明生成了CuSCN薄膜.扫面电子显微镜(SEM)观察显示生成的CuSCN颗粒薄膜平整度和均匀性很好.将Al/CuSCN/Cu器件反复弯曲约5000次后，再弯曲180°并固定，对其进行电存储性能测试，实验证明在弯曲操作下，对器件施加循环扫描电压，器件仍然能实现高阻态和低阻态之间的多次转换，具备良好的存储特性，高低阻态的电阻比率达到104以上.本研究说明柔性基底上的Al/CuSCN/Cu器件具备作为柔性存储器的潜力.
其他文献
合理密植可提高土地利用率,是提高作物产量的重要技术措施。但是,密度过大群体内光照不足,植株因其避荫性而竞争旺长,严重时倒伏,产量和品质反而下降。研究表明,避荫性与植物
自从以非晶IGZO为沟道层制备的氧化物薄膜晶体管(TFT)问世以来,非晶氧化物TFT一直被认为是新型显示技术领域取代传统硅基TFT的重要候选者.但是,In是一种非常宝贵的资源,
本文通过磁控多靶溅射系统,以化合物TiN靶和Ag靶在常温下沉积,分别沉积TiN薄膜和Ag-TiN复合薄膜,研究TiN薄膜晶相和亲疏水性。使用磁控共溅射获得Ag-TiN复合薄膜,通过XRD
忆阻器作为第四种无源基本电路元件,在下一代非易失性存储器、逻辑与神经形态计算领域具有重要应用前景.诸多n型忆阻材料,如TiOx、ZnOx、TaOx和HfOx等已被广泛报道,但p型
相变存储器作为最重要的下一代非易失存储器技术，其具有读写速度快，读写次数多，与现有工艺兼容等优势.然后受限于选通单元面积，相变存储器存储密度难以进一步提升.虽然0T1R结
二氧化钛是一种高效催化剂，在二氧化钛薄膜表面沉积纳米银颗粒形成纳米银/二氧化钛复合膜，不仅能够吸收紫外光还能够吸收可见光，并且减小电子与空穴的复合几率，因而提高了二
由于贫铀特有的化学性质，其表面在大气中始终存在一层影响界面结合的氧化层。为了增强薄膜与铀基体之间的有效结合，需要采用先进的辉光放电技术对铀基体进行薄膜沉积前的原
SnS的光学直接带隙和间接带隙宽度分别为1.2-1.5 eV和1.0-1.1eV,吸收系数可达104 cm-1以上,与太阳辐射中的可见光有很好的光谱匹配,非常适合用作太阳能电池中的光吸收层,
在染料敏化太阳能电池的研究中，合成或寻找一种性能优异的敏化染料是研究的重点之一。目前，研究较多的染料包括：苝四羧酸类，联吡啶钌类和其他有机类染料。本文主要制备了苝四羧酸
新型超硬涂层的开发和严苛的工作环境，对涂层综合性能及结合力提出越来越高的要求，较高的沉积粒子离化率及其带来的能量可控性成为开发新型涂层沉积技术的目标。现有的阴极