衬底温度和激光能量对激光制备类金刚石薄膜的影响

来源 :第七届全国固体薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cwdsy
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
用脉冲激光沉积(PLD)方法制备出类金刚石薄膜。处用Raman谱研究了制备过程吉衬底温度和光功率密度变化对薄膜性质的影响。结果表明,在实验所用的衬底温度范围之内(室温-700℃)和激光功率密度变化范围之内,对Raman解谱分析所得到的D-峰与G-峰的积分强度之比(I<,D>/I<,G>)随衬底温度升高而增加,随激光功率密度的增加而减小。该文对此进行了讨论。
其他文献
会议
热力学和真空蒸发流计算相结合,模拟GaAs脱氧过程,预测脱氧要求的工艺条件和外加As源、Ga源的影响,并从机理上进行了解释。计算结果可作为设计GaAs脱氧工艺的依据。
采用ECR-PAMOCVD技术,在(001)GaAs衬底上,以TMG为镓源、以高纯氮气为氮源,低温生长出了纯立方GaN。利用透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)测量,研究了衬底预处理条件对C-GaN/(001)GaAs外延层质量的影响。结果表明,在390℃ ̄410℃用氢等离子体
本文报告了用真空磁过滤弧沉积技术(FAD)在Si,Ni和Cu衬底上沉积非晶金刚石薄膜(a-D)及其摩擦和磨损性能的研究结果.
该文主要介绍了EMC衬垫传输阻抗和屏蔽质量理论及测量方法。在此基础上,对国内外部分衬垫产品进行了实际测量和讨论。