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侧向外延生长六方相GaN中堆垛层错的同步辐射表征
侧向外延生长六方相GaN中堆垛层错的同步辐射表征
来源 :北京同步辐射装置2005年学术年会暨学术委员会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:unicom_1010
【摘 要】
:
本文采用低温光致发光谱研究了蓝宝石(0001)衬底上MOCVD侧向外延生长的六方相GaN中的堆垛层错,并使用同步辐射XRD方法研究了该堆垛层错以及立方相和六方相GaN的相对取向.
【作 者】
:
陈俊
王建峰
张纪才
王辉
黄勇
王玉田
杨辉
贾全杰
【机 构】
:
中国科学院半导体研究所,北京,100083中国科学院高能物理研究所,北京,100049
【出 处】
:
北京同步辐射装置2005年学术年会暨学术委员会
【发表日期】
:
2005年7期
【关键词】
:
金属有机物化学气相沉积
侧向外延
堆垛层错
同步辐射X射线衍射极图
低温光致发光谱
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本文采用低温光致发光谱研究了蓝宝石(0001)衬底上MOCVD侧向外延生长的六方相GaN中的堆垛层错,并使用同步辐射XRD方法研究了该堆垛层错以及立方相和六方相GaN的相对取向.
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