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单层二硫化钼(MoS2)是重要的二维材料，由于它的宽禁带、强库伦作用和自旋-轨道相互作用，它在光电子学、自旋电子学和能谷电子学方面都有很大的潜在应用价值。
单层二硫化钼(MoS2)导带底在流体静压力下从K点到Λ点的转变
【摘 要】
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单层二硫化钼(MoS2)是重要的二维材料，由于它的宽禁带、强库伦作用和自旋-轨道相互作用，它在光电子学、自旋电子学和能谷电子学方面都有很大的潜在应用价值。
【机 构】
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北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实
【出 处】
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第十五届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2016年5期
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