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Al0.245Ga0.755NGaN异质结和NiAu肖特基接触间插入薄铝层的肖特基结的漏电机制

来源 :第十七届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jjass

【摘 要】

：

目前GaN基HEMT器件中肖特基的反向漏电仍然是制约GaN基HEMT器件发展的一个瓶颈。本文在Ni/Au栅和Al0.245Ga0.755N/GaN异质结间插入了3nm的薄铝层，并对这种新型肖特基结和传统N

【作 者】

：

刘芳 王涛 黄森 许福军 林芳 马楠 沈波 

【机 构】

：

天津大学精密仪器与光电子工程学院,天津300072天津大学精密仪器与光电子工程学院,天津300072北京大学物理学院宽禁带半导体研发中心,北京100871北京大学物理学院宽禁带半导体研发中心,北京10

【出 处】

：

第十七届全国半导体物理学术会议

【发表日期】

：

2009年8期

【关键词】

：

异质结 漏电机制 伏安特性 铝薄层 肖特基结 

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目前GaN基HEMT器件中肖特基的反向漏电仍然是制约GaN基HEMT器件发展的一个瓶颈。本文在Ni/Au栅和Al0.245Ga0.755N/GaN异质结间插入了3nm的薄铝层，并对这种新型肖特基结和传统Ni/Au肖特基结伏安特性和高温反偏漏电机制做了比较，结果表明铝薄层的插入明显改善了肖特基结常温和高温的伏安特性。

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