【摘 要】
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本文采用二维面探测器XRD测量1um及0.5um厚AL互连线退火前后的残余应力.沉积态AL线均为拉应力,且随膜厚的增加而减小.沿长度方向的应力明显高于宽度方向的应力,表面法线方向
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
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本文采用二维面探测器XRD测量1um及0.5um厚AL互连线退火前后的残余应力.沉积态AL线均为拉应力,且随膜厚的增加而减小.沿长度方向的应力明显高于宽度方向的应力,表面法线方向应力最小.250℃退火2.5hr后,互连线在各方向上的应力都减弱,其中1μm-Al线应力减弱幅度高于0.5μm互连线.采用EBSD方法,测量退火前后Al互连线(111)、(100)、(110)取向晶粒的IQ值.退火后平均IQ值提高,互连线残余内应力随之减小.EBSD分析结果与XRD应力测试结果相符合.
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