论文部分内容阅读
2010年，随着国内运营商3G建设的基本完成，运营商纷纷加快了FTTH部署，使得软光缆市场继续呈现蓬勃的发展趋势，此外光组件市场和特种光缆应用也加快了软光缆的应用。本文介绍了软光缆的概念，产业的发展现状和各级市场容量分析和预测，最后指出了软光缆技术新的发展方向。
软光缆产业市场分析
【摘 要】
：
2010年，随着国内运营商3G建设的基本完成，运营商纷纷加快了FTTH部署，使得软光缆市场继续呈现蓬勃的发展趋势，此外光组件市场和特种光缆应用也加快了软光缆的应用。本文介绍了软光缆的概念，产业的发展现状和各级市场容量分析和预测，最后指出了软光缆技术新的发展方向。
【机 构】
：
烽火通信科技股份有限公司,430073
【出 处】
：
2011中国通信光电线缆产业峰会
【发表日期】
：
2011年7期
其他文献
利用二维器件模拟器MEDICI，模拟分析了6掺杂层的杂质分布与应变Si NMODFET电学特性的关系。结果表明，在掺杂剂量一定的情况下，对于均匀分布，漏电流随δ掺杂层厚度的减小而增大，亚阈特性基本保持不变；对于高斯分布，δ掺杂层峰值浓度越大，器件的亚阈特性越差，饱和漏电流越大；在δ掺杂层的掺杂剂量和厚度一定的情况下，均匀分布要好于高斯分布。
介绍了一种实用的线性兼容CMOS工艺中耗尽型NJFET的设计与优化，流片验证得到NJFET的夹断电压为-1.35V，击穿电压为15.5V，通过优化NJFET的结构，可以实现NJFET的耐压达到34V.使用该NJFET及其线性兼容CMOS工艺，成功研制了一款低压差线性稳压器(LDO)，基准源静态电流小于1.5μA.该工艺还可广泛应用于高压A/D和D/A转换器的研制.
基于中国科学院微电子研究所开发的0.35μmSOI工艺，制备了深亚微米PDSOI H型栅nMOSFETs。在不同温度下进行了加速应力实验，结果表明温度越高，热载流子退化越严重。以饱和电流退化10％为失效判据，采用衬底/漏极电流比率模型对器件热载流子寿命进行了估计，自加热效应的存在使得SOI热载流子寿命的预测变得复杂，为预测器件热载流子寿命提供了一种更加精确的方法.
对深亚微米的窄沟PMOSFET进行了负偏压温度不稳定性(NBTI)的试验研究。结果表明，NBT应力最终导致了跨导降低、输出特性曲线下降、关态泄漏电流和阈值电压增加。然而，在应力施加的过程中，一些参数发生了恢复。经过分析，认为正电性的界面态主导了参数的变化，也正是界面态的复合造成了参数的恢复。
采用器件数值模拟工具对PIN、PNPN以及HMG等几种新型隧道穿透场效应晶体管(TFET)器件进行了研究。结果表明优化的TFET器件具有较好的亚阈区特性和较高的Ion/Ioff之比，有望在低功耗应用中成为纳米级MOSFET强有力的竞争者之一。
对应用于高频微波功率放大器的SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区进行了优化，发现器件对基区Ge组分以及掺杂浓度十分敏感。采用重掺杂基区，适当提高Ge组分并形成合适的浓度分布，可以有效改进SiGe的直流特性，同时增加器件的特征频率，使得SiGe HBT技术在微波射频等高频电子领域具有更重要的应用前景。
通过分析惠斯通电桥中压敏电阻零点输出随温度变化的机理，从电桥和外部电路两个方面对电桥零点输出进行补偿，内部调整电阻电桥的阻值匹配，外部调整电桥平衡，并且采用双电桥结构差分输出补偿热零点漂移.设计了可供调节的电路系统，得到的零点失调输出范围控制在满量程输出的1.5％之内，为压阻式压力传感器的自行研究和应用打下了基础。
为了在减小P型多晶硅栅电极中硼穿通的影响，需要明确多晶硅栅电极中硼穿通与栅氧化层厚度之间的关系。提出了双栅PMOSFET模型，将P型多晶硅栅极与N型多晶硅栅极的功函数之差与阈值电压差值进行对比完成硼穿通的判定。依据这一模型优化热氧化条件，有利于改善薄栅氧化层PMOSFET中的硼穿通。
通过CCD的60Coγ射线与高能电子辐照试验，研究了器件的电离总剂量效应，从器件结构和工艺方面分析了器件的辐射损伤机理与加固方法。在此基础上，对采用抗辐射加固设计的某1024×1024元CCD进行了60Coγ射线辐照试验。结果表明，采取抗辐射加固措施研制的CCD抗电离辐射总剂量能力达到了较高的水平。