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利用有限元法对新设计的HVPE系统工艺参数进行了优化,发现衬底与气体入口距离为5厘米时,沉积的均匀性较好。在此基础上,模拟得到了优化的生长参数。模拟的结果还表明重力和浮力对GaN沉积均有影响。
立式HVPE反应器生长GaN模拟研究
【摘 要】
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利用有限元法对新设计的HVPE系统工艺参数进行了优化,发现衬底与气体入口距离为5厘米时,沉积的均匀性较好。在此基础上,模拟得到了优化的生长参数。模拟的结果还表明重力和浮
【机 构】
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南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室中山大学光电材料与技术国家重点实验室,南京 210093
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2008年期
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