论文部分内容阅读
多晶硅薄膜在薄膜晶体管(TFT)领域具有重要应用,对于TFT,制备结晶度高、载流子迁移率大的多晶硅薄膜具有重要意义。本文采用LPCVD系统以高纯SiH4为气源,在p型4英寸<100>晶向单晶硅衬底SiO2层上制备纳米多晶硅薄膜,工作气压0.36~0.40 Torr(1Torr=133.322Pa),薄膜沉积温度620℃,沉积薄膜厚度分别为30nm、63nm和98nm,对不同厚度的纳米多晶硅薄膜分别进行700℃、800℃和900℃高温真空退火处理。通过Raman光谱、SEM、AFM对SiO2层上纳米多晶硅薄膜进行特性测试和表征研究。分析薄膜厚度、真空退火温度对纳米多晶硅薄膜结晶度等微结构特性影响,为纳米多晶硅薄膜在TFT领域进一步应用奠定基础。