双吲哚类新型非掺杂红色电致发光材料的合成及性能研究

来源 :上海市真空学会成立20周年暨第九届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tintin123456
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文报道一类新型的、易于合成的双吲哚类非掺杂红色电致发光材料.用UV、PL、DSC、CV以及EL表征了材料的性能.结果显示,这类材料具有形成玻璃的趋势、较低的类似三苯胺类化合物的氧化电位和氧化峰具有良好的可逆性等特点.由这类材料制作的器件,具有加工工艺简单、色坐标优异(EL波长为650nm,对应CIE色坐标为x=0.64,y=0.34)等优点,可望用于红色OLED器件。
其他文献
p-i-n型非晶硅基太阳电池的界面因素及S-W效应问题,一直困扰着光伏科学界.本文从能带结构工程角度,利用纳米非晶硅的带隙与材料成分和结构的关系,首次设计出了p-i-n各层,并使其p、i、n各层按顺序能带渐变,从而提高了整个太阳电池的光电转换效率和开路电压并降低了光衰减.
本文介绍了用定向凝固法制备Pb(MgNb)O-PbTiO定向陶瓷的工艺,并对其择优取向及介电、压电性能进行了研究.结果表明,Pb(MgNb)O PbTiO的晶粒择优取向与原料组分和坩埚下降速度密切相关.[110]方向的Pb(MgNb)O-0.3PbTiO定向陶瓷表现出最优的介电、压电性能.
本文对厚度为20ìm的(111)晶向的碲锌镉晶片进行双面化学腐蚀,并采用红外透射显微镜对A面和B面的腐蚀坑进行观察和对比时发现,在同一晶片(111)A和(111)B面上的腐蚀坑并无对应关系,即大部分腐蚀坑所对应的不是穿越(111)面的位错线,而且,腐蚀坑的深度也仅局限于10微米以内.这些结果表明,腐蚀坑密度不能简单地表征材料的位错密度.
本文利用Cd1-xZnxTe晶体乌尔巴赫带尾吸收区内吸收系数α.=10cm及α=20cm对应的能量与组分的经验关系,测试了Cd1-xZnxTe晶体的Zn组分.实验结果表明:由红外透射光谱法获得的Zn组计算出的晶格常数与高分辨光射线衍射测得的晶格常数相比,偏差小于0.3﹪,因此,可将红外透射光谱法作为测量任意方向的Cd1-xZnxTe晶体组分及晶格常数的常规方法.
本文对九十年代以来半导体锗材料的供求关系进行了概述,介绍了锗在光纤、催化剂、红外线、半导体及医药保健及领域新应用的进展状况,同时分析了锗的供求趋势,指出了锗材料生产、应用中存在的问题.
本文首先对Si注入在SIMOX的绝缘埋层中形成的纳米硅团簇的条件和纳米团簇的结构进行了论述.接头号,对纳米硅在绝缘埋层中的俘获电子的行为机理进行分析讨论;最后,对利用纳米硅提高SIMOX材料的绝缘埋层的制备的MOSFET的辐射特性进行了报道.
本文对硅单晶材料到抛光片的关键加工工艺:切割、磨片、化学机械抛光、清洗等工序进行了分析,并对相应的工艺化学品进行研究和应用.研究表明工艺过程中适当增强化学作用可以降低机械损伤、减少机械和热应力导致的缺陷,提高硅片质量和成品率,尤其是清洗工艺中特性吸附的研究大大提高了清洗表面质量,并降低了清洗成本.
本文采用不同的注N剂量、不同的工艺制备了氧氮共注形成SOI(SIMON)材料.采用二次离子质谱(SIMS)分析了材料退火之后的离子分布,结果发现退火之后氮原子大多数聚集在SiO/Si界面处;为了分析材料的抗辐照加固效果,分别在SIMOX和不同方法制作的SIMON材料上制作了NMOS场效应晶体管,并测试了辐射前后的转移特性.
本文采用真空热蒸发法在50μm的聚酰亚胺薄膜上蒸镀5~8μm的铜层,并用激光掩模打孔法在其上制备了孔径80μm、孔间距285μm的GEM复合薄膜,成功组装了20mm×20mm的GEM探测器.对GEM探测器在Fe X射线(5.9keV)辐照下进行了脉冲幅度分布谱测试,讨论了漂移区电场、AGEM电场、收集区电场对探测器记数的影响.
本文简要介绍了上海市用于半导体和其它器件上光学和红外镀膜的高品位氧化物材料的性能指标和生产状况,以及其它常用镀膜材料的性能规格.也简述了珍稀贵重的新型镀膜材料的发展前景.