【摘 要】
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基于SOI上Ge虚衬底生长SiGe/Ge多量子阱材料制备了垂直共振腔发光二极管(RCLED).发现RCLED发光强度随注入电流密度增加出现非线性放大,同时在大注入电流密度下出现了FP腔模,说明了Ge在电泵浦下净光增益的存在.在实验结果的基础上,通过优化器件结构设计了出射波长为1600nm的SOI上SiGe/Ge多量子阱垂直腔面发射激光器(VCSEL).
【机 构】
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厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,厦门 361005
【出 处】
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第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
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基于SOI上Ge虚衬底生长SiGe/Ge多量子阱材料制备了垂直共振腔发光二极管(RCLED).发现RCLED发光强度随注入电流密度增加出现非线性放大,同时在大注入电流密度下出现了FP腔模,说明了Ge在电泵浦下净光增益的存在.在实验结果的基础上,通过优化器件结构设计了出射波长为1600nm的SOI上SiGe/Ge多量子阱垂直腔面发射激光器(VCSEL).
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