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介绍全自动反应离子腐蚀３″ＧａＡｓ片的实验研究工作。包括设备简介，腐蚀速度与射频功率、腐蚀气体流量的关系等，并对获得的结果进行初步分析。
全自动反应离子腐蚀3"GaAs片实验研究
【摘 要】
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介绍全自动反应离子腐蚀３″ＧａＡｓ片的实验研究工作。包括设备简介，腐蚀速度与射频功率、腐蚀气体流量的关系等，并对获得的结果进行初步分析。
【机 构】
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工业部第十三研究所
【出 处】
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第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议
【发表日期】
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1996年期
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