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通过脉冲激光沉积方法在1.3 Pa 氮气氛围，100-500 ℃衬底温度，Si（111）衬底上制备了ZnO 薄膜。在 300℃温度下生长的薄膜在400-800℃温度，氧气中进行了退火处理。用X 射线衍射（XRD）谱，原子力显微镜（AFM），光致发光谱(PL)表征了薄膜的结构和光学特性。XRD 谱显示在生长温度300℃时获得了最好的复晶薄膜，在退火温度700 ℃时获得六方结构的单晶薄膜。AFM 显示在此退火条件下薄膜表面平整，晶粒均匀。PL 谱结果显示在700℃退火时有最好的光学特性。