【摘 要】
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用磁控溅射生长了5周期的Ge/Si多层膜和GeSi单层膜,用计算机控制的衍射仪(CuK□辐射)测量了X射线衍射曲线,在Ge/Si多层膜衍射的布喇格衍射峰两侧发现了一系列次级衍射峰,在单
【机 构】
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云南大学材料科学与工程系(云南昆明)
【出 处】
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
论文部分内容阅读
用磁控溅射生长了5周期的Ge/Si多层膜和Ge<,x>Si<,1-x>单层膜,用计算机控制的衍射仪(CuK□辐射)测量了X射线衍射曲线,在Ge/Si多层膜衍射的布喇格衍射峰两侧发现了一系列次级衍射峰,在单层膜样品的低角X射线衍射中也发现了一系列小峰,我们对此现象进行了深入地探讨,并利用带折射修正的布喇格衍射定律和薄膜光学现象,对低角X射线衍射谱中出现的一系列现象进行了解释,并计算出了Ge/Si多层膜的周期厚度和周期中不同材料间的配比率及Ge<,x>Si<,1-x>单层膜的厚度.
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