PECVD系统中高氢稀释制备纳米锗材料的研究

来源 :第十二届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:to_3000
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
其他文献
现阶段我国的信息技术发展速度较快,管理档案的模式由实体管理档案向数字化管理档案逐渐过渡,以达到存储数字化以及通过网络连接.运用计算机系统来管理,使构成的档案信息库完
简要介绍了可用于高频互补双极工艺的V槽隔离和先进的深槽隔离技术的研究情况。
在科技、经济快速发展的推动下,信息技术得到了迅猛发展,网络媒体已经深入人们学习、生活与工作的方方面面,为人们带来了极大的便利,也促使档案文化传播方式创新.本文基于新
会议
报道了采用PECVD技术制备的SnO-Ag-SnO结构薄膜,在20℃下对HS具有良好的气敏特性,即高灵敏度、良好的选择特性和开关式响应特性。
该研究设计了循环氩离子轰击-PECVD TiN工艺。运用扫描电子显微镜、能谱仪、恒电位仪等仪器设备,研究循环氩离子轰击对PECVD TiN膜耐腐蚀性能的影响及作用机理。结果表明:循环
本文站在高校视角,从产教融合的概念和本质出发,重点结合学校、校友企业发展现状,梳理产教融合的发展逻辑.提出产教融合“中台”建设模式,以此判断未来的发展方向和机会,探索
高校“专升本”档案是“专升本”招生的重要凭证.随着“专升本”招生政策的深入实施,“专升本”档案的重要性愈加凸显.本文对“专升本”档案重要性和转递过程中存在的问题进
研究了PECVD设备,并用此设备进行了SiO〈,2〉和Si〈,3〉N〈,4〉淀积工艺研究,取得了大面积均匀性≤±1℅的结果,除此之外还对PECVD的其它应用进行了初步探索。