【摘 要】
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Novel reverse-conducting IGBT (RC-IGBT) with anti-parallel MOS controlled thyristor (MCT) is proposed.Its major feature is the introduction of an automatically controlled MCT at the anode, by which th
【机 构】
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State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices University of Electronic Scienc
【出 处】
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2013年全国博士生学术论坛——电子薄膜与集成器件
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Novel reverse-conducting IGBT (RC-IGBT) with anti-parallel MOS controlled thyristor (MCT) is proposed.Its major feature is the introduction of an automatically controlled MCT at the anode, by which the anode-short effect is eliminated and the voltage snapback problem is solved.Furthermore, the snapback-free characteristics can be realized in novel RC-IGBT by a single cell with a width of 10 μ, rn with more uniform current distribution.As numerical simulations show, compared with the conventional RC-IGBT, the forward conduction voltage is 35% reduced while the reverse conduction voltage is reduced by 50% at the J =150 A/cm2.
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