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利用射频等离子增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术，研究了氢稀释对非晶硅太阳电池开路电压和稳定性的影响。发现电池的开路电压在非晶/微晶过渡区产生突变。在150℃低温下，在过渡区靠近非晶区附近得到单结非晶硅电池的开路电压为0.943V。经过600 小时光照衰退后，单结非晶硅太阳电池衰退率在10％以内。