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本论文全面的介绍了纳米导电粉体，特别是金属氧化物掺杂型纳米导电粉体的发展概况、原理、种类以及常见的制备工艺。以无机金属盐SnCl4·5H2O和SbCl3为原料，采用水热法制备出电学性能优良的ATO纳米导电粉体。在掺杂浓度为11％，水热反应温度为180℃，反应压力1MPa，反应时间2h，热处理温度为700℃，热处理时间2h的实验条件下制备的ATO粉体，性能达到最佳，晶粒度在20个nm左右，在0.2MPa压力下粉体电阻值为0.2Ω。 系统研究了掺杂比，热处理温度，热处理时间等制备工艺过程对ATO纳米粉体相组成和粉体粒度的影响。水热法制备的ATO纳米粉体在热处理温度700℃左右较为适宜，锑的掺杂并未改变粉体的四方相金红石结构，随锑掺杂量的增加，粉体的粒度变小；随热处理温度的升高和热处理时间的延长，ATO粉体的粒度增大，晶体结构趋于完整。 对水热法制备的ATO粉体的电学性能进行了深入的研究。适量的掺杂锑（～11％）能显著提高粉体的导电性能，随掺杂量的继续增加，粉体电阻反而下降。电阻值随热处理温度的升高而下降，在300—400℃左右时，电阻值下降很快，继续升高热处理温度，电阻值减小趋势变缓。2h后延长热处理时间对电阻值基本无影响。