目前,世界性能源危机十分严重,因此,节约能源对整个人类社会的生存和发展具有重大的意义。节能灯由于节能效果十分显著而逐渐成为世界节能、绿色环保的主要产品之一。功率VDMOS器件由于输入阻抗高、开关速度快和热稳定性好的优点在节能灯电路中的应用越来越广泛,因此节能灯用VDMOS器件的研究具有实用价值和现实意义。　　 本文首先建立了基于VDMOS物理结构中寄生器件的SPICE宏模型,并利用MEDICI软件完成了模型参数的提取。该模型采取了行为级描述的方式完成了对漏端电阻的建模,这种方法既简化了模型复杂程度又节省了模型仿真时间。接着本文分析了所建模型的转移特性与实际曲线存在偏差的原因,并提出了一种经验方法对模型做出改进,得到了精度更高的SPICE宏模型,保证了电子镇流器电路系统级仿真的精确性。　　 然后本文分析了电子镇流器效率与VDMOS电学参数的关系,为了降低器件功耗,提高电子镇流器效率,对VDMOS器件的结构和工艺进行了优化设计,其中主要研究了栅宽与栅间距的比例对元胞电流密度的影响,P阱推进时间对元胞击穿电压的影响以及JFET调整工艺的推进时间对导通电阻的影响。经过优化最终确定栅宽与栅间距的比例为8.4um／6.4um,JFET调整工艺的温度为1150℃推进时间为180min。随后,借助于计算机仿真工具分析并比较了三种不同宽度的终端结构的击穿特性,最终确定了节能灯用VDMOS器件的终端宽度为298um,与原有终端宽度相比减少了48um。通过上述设计使VDMOS的导通电阻和终端宽度得到优化,减小了芯片面积,提升了VDMOS器件的性价比。　　 本文最后借助TSUPREM4和MEDICI模拟软件设计了一款11W节能灯采用的600V1A VDMOS器件。重点设计了器件的工艺参数和结构参数,包括外延层电阻率、外延层厚度、栅氧化层厚度、P阱注入剂量、N+注入剂量和终端结构。经过流片,样品测试结果表明设计器件的击穿电压大于600V,导通电阻小于7.5欧姆。