论文部分内容阅读
许多研究表明，氧化应激和线粒体缺陷参与了阿尔采末症(AD)的发病过程。本文尝试使用线粒体电子传递链细胞色素C氧化酶(COX)的特异性抑制剂叠氮钠(NaN3)损伤线粒体，再用H2O2诱导线粒体缺陷神经细胞氧化损伤，模拟在AD发病早期，线粒体缺陷神经细胞在过度氧化刺激作用下，引起特定脑区神经细胞损伤的过程。并观察了该模型中神经细胞内硫氧还蛋白(Trx)水平和Trx系统活性的变化，探讨线粒体缺陷神经细胞氧化损伤易感和胞内Trx水平下调的机制，为对抗氧化损伤，保护神经细胞，预防AD提供新的研究思路。NaN3是线粒体电子传递链上COX，亦即复合物Ⅳ的抑制剂，研究提示NaN3的在体损伤模型和离体细胞模型可部分模拟AD的发病过程。实验中，不同浓度的叠氮钠处理原代培养的神经细胞和人神经母细胞瘤细胞(SHSY5Y细胞)，得到线粒体缺陷神经细胞。再使用外源性H2O2损伤线粒体缺陷和正常神经细胞，比较两者氧化损伤易感性的差异。实验结果显示，较低浓度H2O2(原代培养神经细胞：50 μmol/L H2O2；SHSY5Y细胞：200 μmol/L H2O2)可诱导线粒体缺陷神经细胞的细胞存活率显著降低，而较高剂量的H2O2作用于正常神经细胞时才出现显著损伤，显示线粒体缺陷神经细胞氧化损伤易感性增高。RT—PCR和WesternBlot的结果显示，线粒体缺陷神经细胞中Trx mRNA和蛋白水平下调，当使用外源性H2O2氧化损伤时，Trx mRNA和蛋白水平呈剂量和时间依赖性下降，Trx系统活性亦显著下降。在正常神经细胞中使用外源性H2O2氧化损伤时，TrxmRNA和蛋白水平变化不明显，而Trx系统活性显示有下降，但下降不如线粒体缺陷神经细胞明显。实验结果表明，线粒体缺陷神经细胞氧化损伤易感性增高，而该易感性增高可能和胞内Trx水平的下调和Trx系统活性的下降相关。