在二类超晶格中，电子和空穴被束缚在不同的层中，InAs/GaSb超晶格是典型的二类超晶格。近年来，二类超晶格受到了广泛的关注，其主要应用是在红外探测器上。和HgCdTe红外探测器相比，二类超晶格有俄歇寿命长，对带隙的控制更准确和均匀性好等优点。要想制成长波和甚长波红外探测器，需要增加各层的宽度，但这会导致光吸收效率的降低。这就需要在带隙和光吸收系数之间作出平衡和优化。所以，从理论上计算二类超晶格的电子结构和光学性质是非常有意义的。　　在半导体的能带计算方面，有效质量方法是一个简单而有效的方法。但是，当我们用有效质量方法计算InAs/GaSb超晶格的能带时，得到的带隙比实验结果都要大，对于短周期超晶格尤其如此。在本文中，作者认为这来源于超晶格界面对称性的下降。InAs和GaSb都是闪锌矿晶体，有Td对称性，而在InAs和GaSb的界面上有C2v对称性。所以界面上的哈密顿量形式与InAs和GaSb的内部的哈密顿量形式是不同的。传统的有效质量方法没有考虑这种不同。在本文的计算中考虑了这种不同，加入了界面势并得到了以下结果:　　1.计算了一系列InAs/GaSb超晶格样品的带隙，理论值与实验值符合的非常好。这充分说明了界面势的重要性。　　2.进一步计算得到的样品10MLs/10MLs（ML指单层）的光学吸收系数与实验符合的也很好。　　3.计算了一系列InAs/GaSb超晶格样品的吸收系数，发现InAs和GaSb的宽度对吸收系数都有影响，宽度越大，吸收系数越小。相比较而言，InAs的宽度对超晶格的吸收系数的影响更大。　　InAs/GaSb/AlSb/GaSb超晶格也是二类超晶格，通常被称为M结构。和InAs/GaSb超晶格相比，M结构只是在GaSb层中加了一层AlSb，AlSb既是电子的势垒也是空穴的势垒。由于AlSb把空穴波函数挤向GaSb的两边，电子空穴波函数的重合度可能会增加，所以，和InAs/GaSb超晶格相比较，M结构的吸收系数可能会有很大的增加。在本文中，同样运用加界面势的有效质量方法，计算了InAs/GaSb/AlSb/GaSb的电子结构和光学性质，并和InAs/GaSb超晶格作了比较，得到以下结论:　　1.M结构有更大的电子有效质量。　　2.InAs/GaSb超晶格的价带顶可调范围很小，而M结构的价带项有大得多的可调范围。　　3.M结构的光学吸收系数没有明显的提高。　　虽然在吸收系数上没有明显改善，但是M结构可以用在p-π-M-n异质结中来减小InAs/GaSb超晶格探测器的暗电流。如果选择适当的M结构，并且把它适当掺杂，探测器的量子效率将和偏压无关。　　这篇论文还计算了ZnO纳米线的带隙，发现当纳米线弯曲时，其带隙变小，结果与实验符合的很好。