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现代显示技术在飞速发展，人们对高分辨率、高帧数的需求不断提高，所以显示器对驱动器件性能的需求也不断提高。目前显示行业中使用的最新型薄膜晶体管(TFT)是铟镓锌氧(InGaZnO、IGZO)TFT，其中In元素提高材料中的电子浓度，Ga元素降低材料中的电子浓度，迁移率可达10cm2/Vs以上。为了获得更高迁移率的TFT，我们将Ga元素替换为Sn元素，在保证原子最外层轨道半径差不多的情况下，不对电子浓度进行进一步抑制，仅靠Zn元素控制材料中的电子浓度，制作了铟锡锌氧(InSnZnO、ITZO)TFT。之后对材料进行Li元素掺杂，增强材料对氧的亲和性，适量减少薄膜中的氧空位，制作了锂掺杂的铟锡锌氧(InSnZnO:Li、ITZO:Li)TFT。最后，进行更进一步的尝试，将Li掺杂改为直接替换Zn为Ga，进一步减少了薄膜中的氧空位，制作了铟镓锡氧(InGaSnO、IGTO)TFT。主要研究内容如下：
(1)采用磁控溅射制备了In0.13Sn0.01Zn1.0O、In0.34Sn0.04Zn1.0O、In0.76Sn0.08Zn1.0O、In0.9Sn0.3Zn1.0O、In1.0Sn0.2Zn1.0O、In1.1Sn0.1Zn1.0O、In1.3Sn0.13Zn1.0O、In1.5Sn0.15Zn1.0O、In2.0Sn0.2Zn1.0OTFT，研究了有源层厚度、退火温度对其电学性能的影响。对有源层进行霍尔测试以获得有源层薄膜材料的载流子浓度、电阻率等属性。
(2)采用磁控溅射制备了In1.1Sn0.1Zn1.0O:LiTFT，研究了有源层厚度、退火温度、退火气氛、溅射中氧气流量对器件电学性能的影响。对有源层薄膜进行了XPS、SIMS等测试以研究薄膜中的元素含量情况与氧缺陷的情况。实验中，发现氮气气氛退火显著提高了TFT器件性能，我们进行了TEM测试以研究薄膜界面的情况。实验结果表明，相比ITZOTFT，迁移率得到了极大的改善，亚阈值摆幅也获得了改善。
(3)采用磁控溅射制备了In0.5Ga0.25Sn0.25O、In0.68Ga0.25Sn0.07OTFT，研究了有源层厚度、退火温度、退火气氛对器件电学性能的影响。结果表明，相比ITZO:LiTFT，迁移率大幅降低，但是亚阈值摆幅得到了进一步改善。
(1)采用磁控溅射制备了In0.13Sn0.01Zn1.0O、In0.34Sn0.04Zn1.0O、In0.76Sn0.08Zn1.0O、In0.9Sn0.3Zn1.0O、In1.0Sn0.2Zn1.0O、In1.1Sn0.1Zn1.0O、In1.3Sn0.13Zn1.0O、In1.5Sn0.15Zn1.0O、In2.0Sn0.2Zn1.0OTFT，研究了有源层厚度、退火温度对其电学性能的影响。对有源层进行霍尔测试以获得有源层薄膜材料的载流子浓度、电阻率等属性。
(2)采用磁控溅射制备了In1.1Sn0.1Zn1.0O:LiTFT，研究了有源层厚度、退火温度、退火气氛、溅射中氧气流量对器件电学性能的影响。对有源层薄膜进行了XPS、SIMS等测试以研究薄膜中的元素含量情况与氧缺陷的情况。实验中，发现氮气气氛退火显著提高了TFT器件性能，我们进行了TEM测试以研究薄膜界面的情况。实验结果表明，相比ITZOTFT，迁移率得到了极大的改善，亚阈值摆幅也获得了改善。
(3)采用磁控溅射制备了In0.5Ga0.25Sn0.25O、In0.68Ga0.25Sn0.07OTFT，研究了有源层厚度、退火温度、退火气氛对器件电学性能的影响。结果表明，相比ITZO:LiTFT，迁移率大幅降低，但是亚阈值摆幅得到了进一步改善。