太赫兹(1THz=1012Hz)辐射，通常指的是频率在100GHz到10THz的电磁波，它对应的波长范围在3mm到30μm，位于微波与红外波之间，最近由于纳米技术的进步使得太赫兹相关技术在更多领域得到应用，太赫兹技术由于其能够无损检测的特性被广泛应用于通讯技术、生物光谱、远程检测危险物品、食品质量控制以及在半导体中进行量子态的操纵。　　本论文主要研究基于平面纳微结构的半导体器件，研究内容以及成果有以下几个方面:　　(1)研究了等离子体波太赫兹器件中的噪声来源以及对器件的影响。主要对铟镓砷基的纳微结构半导体器件的噪声谱进行了详细的研究。模拟结果表明该噪声谱的频率范围在0.7THz到2THz，较低频很大程度是由于对源-漏电压十分敏感，而较高频范围则不受影响。这些结论与实验结果一致。　　(3)研究了平面半导体器件中电场耦合模型的影响。在基于氮化镓基的纳微结构平面半导体器件的特性进行分析，通过完全二维模型与二维三维模型对其进行数值模拟论证。在二维模型预测更大的输出电流和略高一些阈值电压的耿氏振荡。虽然两种模型获得的电流振荡基频相近，但由二维三维组合模型得到的振荡的波形比由完全二维模型得到的波形更正弦化。由二维模型得到的结果中偏置条件和设备参数的变化都更敏感。而且在DC偏置下的第二谐波振荡会伴随出现沟道旁边由强电场效应激发的振荡。　　(3)研究了侧栅纳米晶体管的稳态和瞬态特性。采用二维蒙特卡罗方法，对具有单栅和双栅的侧栅的纳米晶体管中的稳态以及瞬态特性进行了详细研究。仿真结果表明:双栅纳米晶体管相较于单栅纳米晶体管在沟道具有更强大的控制能力，两个设备关于漏极电流的瞬态过程均为3ps，这意味着它们的工作频率都可达到约0.3THz。双栅纳米晶体管的瞬态过程小得微乎其微，但是对于单栅纳米晶体管，漏极电流响应在接近下一个稳态时发生明显的振荡。我们关于漏极电流的振荡也做了一些讨论。