Ⅲ-Ⅴ族太阳电池因超高的转换效率和卓越的空间抗辐射能力,主要广泛应用于太空领域,在太阳电池领域占领极其重要的地位。为了拓展Ⅲ-Ⅴ族太阳电池的应用范围,Ⅲ-Ⅴ结柔性太阳电池的研究一直是该领域的研究热点。近年来,关于柔性Ⅲ-Ⅴ族太阳电池的研究,主要还是围绕着聚酰亚胺等有机衬底上进行,已有很多实验室制备出了性能较好的柔性电池。但是因为工艺的复杂,高昂的成本以及成品率低,柔性Ⅲ-Ⅴ族多结太阳电池还难以形成产业化生产。本文结合实验与计算模拟,成功设计制备出适合不同光谱的太阳电池抗反膜。其中300-1800 nm波长范围的四层OS50/SiO₂/OS50/SiO₂=69/27/22/106 nm抗反膜结构成功将GaAs wafer表面的平均反射率降至7.5%左右,并将制备出的柔性三结太阳电池的效率从25.61%提升至33.13%。采用电镀铜法,以20μm厚的金属Cu为衬底,通过机械减薄和化学腐蚀的方法将电池外延层转移到Cu衬底上,成功制备出柔性GaInP/GaAs/GaInAs三结太阳电池。在AM 1.5G光谱一个太阳下测得的电池开路电压为2.86 V,电流密度为13.55 mA/cm²,填充因子为85.49%,转换效率33.13%。以稳态光致发光测试和时间分辨光致发光测试的方法定性的分析了InGaAsP材料的质量问题。结果表明,800℃的快速退火处理后,InGaAsP材料的发光强度得到了大幅度的提升,PL衰减时间也从原来室温下3 ns左右提升至10 ns以上,表明高温快速退火处理可以改善分子束外延生长的InGaAsP材料的质量。