BGaN合金材料的禁带宽度在3.4⁵.5 eV之间连续可调,对应的发光波长范围在225³65 nm之间,可以用于紫外发光器件的制备。同时,通过调整BGaN中合金组分,其a轴晶格常数可以分别与AlN和SiC衬底的a轴晶格常数相匹配,使得BGaN材料在高性能GaN基器件制备方面潜力巨大。此外,B原子在自然界中存在同位素¹⁰B和¹¹B(原子数比¹⁰B:¹¹B=1:4),利用¹⁰B原子具有的较大中子俘获截面,BGaN材料还可用于制备中子探测器。然而,BGaN薄膜的外延生长受生长参数影响较大,并且B源（TEB）在生长过程中与V族源NH₃之间预反应严重,导致难以生长出表面平整的高质量BGaN薄膜以及高B组分的BGaN薄膜。目前,国内没有针对BGaN薄膜的金属有机物化学气相沉积（MOCVD）外延生长研究的报道。因此,本论文中BGaN薄膜的MOCVD法外延生长研究工作,对推动我国BGaN材料及器件发展以及缩短我国与国外在BGaN领域的差距具有重要意义。本论文利用MOCVD技术,在蓝宝石衬底上开展了BGaN薄膜的外延生长研究,具体研究内容如下:1、BGaN薄膜表面形貌的优化研究。利用MOCVD技术在蓝宝石衬底上外延BGaN薄膜,研究了生长厚度、温度、压力和B/III比对BGaN薄膜表面形貌的影响。实验结果表明,增加厚度会恶化BGaN薄膜表面形貌;随着温度的升高,BGaN薄膜表面形貌先变好后变差,800℃时对应的BGaN薄膜表面形貌最好;增加压力会加重预反应,严重破坏BGaN样品表面形貌,在较低压100 mbar时BGaN薄膜表面形貌最好;高的B/III比会恶化BGaN薄膜表面形貌,B/III比为10%时BGaN薄膜表面形貌最好。2、BGaN薄膜中B的并入效率研究。通过XRD测试,研究了生长厚度及生长参数对BGaN中B并入效率的影响。研究结果表明,增加薄膜厚度基本不改变BGaN中B的并入效率;随着温度的升高,BGaN中B组分先增加后降低,在800℃时,BGaN薄膜中B组分最大,为4.3%;随着压力的增加,BGaN薄膜中的B组分急剧减少,在较低压力100 mbar时,BGaN薄膜中的B组分最高,为4.5%;BGaN中B组分随B/III比的增加近似线性增加,在B/III比为30%时,BGaN薄膜中的B组分最高,为6.1%。