近些年来,电子电力技术发展推动了变频电路、汽车电子、开关电源的应用市场不断扩大。而在这些应用中,功率二极管作为最常用的基础元件,起到非常关键的作用。伴随着技术水平的发展与进步,开关器件频率的增加,对电路中二极管的开关速度提出了更快的要求,由此诞生了快恢复二极管。目前,在实际生产中,一般采用掺铂的方式,减小快恢复二极管的少子寿命,提高器件开关速度,这是由于铂是理想的复合中心,且掺铂工艺成本较低,适合批量生产。本文首先从铂的能级理论、寿命理论方面分析,验证掺铂工艺控制快恢复二极管少子寿命的可行性。再对快恢复二极管的结构原理和主要电性参数理论进行分析,确定了快恢复二极管采用的结构设计以及快恢复二极管器件原材料的最优选型方案。接着介绍了快恢复二极管的制造工艺流程,并对高温扩散、铂扩散、LPCVD以及台面成型等主要工艺进行分析研究,通过理论推算和工艺试验结果对比,调整掺铂快恢复二极管的生产工艺条件,确定其制程优化方案,并依据优化制程方案制备出快恢复二极管样品。最后通过对实验过程数据及样品测试数据进行分析研究,评估确认采用优化后制程制备的快恢复二极管样品,其电性参数及可靠性均满足本文对掺铂快恢复二极管电性能设计目标。本文结合公司现有掺铂快恢复二极管生产工艺,通过实验研究,分析了掺铂快恢复二极管的反向恢复时间trr、正向压降VF、反向击穿电压VBR以及反向漏电流IR之间的关系,并采用成本较低的4寸N型直拉单晶硅片替代国外同行采用的外延硅片,制备出的样品不仅电性规格满足反向恢复时间trr≤75ns@IF=0.5A,IR=1A,IREC=0.25A;正向压降VF≤1.5V@IF=1A;反向击穿电压VBR≥1000V@I1=5μA;反向漏电流IR≤1μA@VR=1000V的设计要求,还满足了可靠性方面的要求,而且成本更低,具有较强的市场竞争力。通过本文对掺铂快恢复二极管电性参数和工艺原理的研究,逐步建立结合实际生产的理论知识,对后续快恢复二极管及其他同类型产品的开发和设计具有一定的参考价值。