局域表面等离激元共振（Localized surface plasmon resonance,LSPR）指的是金属（或高掺杂半导体）纳米结构中的自由电子在外部电磁场的激发下发生的集体振荡。在被激发后的几飞秒至十几飞秒的时间内,LSPR以辐射或非辐射的方式快速衰减,其中通过朗道阻尼的非辐射衰减可以激发出高能的热电子。与传统的半导体相比,LSPR金属对光的响应波长可以通过调控其形貌、尺寸等来调控,因此,LSPR热电子最大的优势是其产生不受禁带宽度的限制。将LSPR金属与半导体相结合,LSPR热电子可以转移到半导体,形成光电流或参与化学反应,从而用于光伏、光催化等领域。然而,目前基于LSPR热电子的器件效率普遍不高,导致其无法得到实际应用,这主要是因为热电子的效率不高。部分研究表明,热电子效率与金属/半导体界面有关,但目前界面对热电子效率的影响机制还不明确。根据已报道的研究,Au/CdSe与Au/CdS的热电子效率存在较大差异,因此,本论文制备了Au/CdSe及Au/CdS杂化结构,从实验上对两者的热电子效率进行了研究,同时通过理论计算对其界面电子结构进行了研究。通过关联热电子效率与界面结构,阐明了界面对热电子效率的影响机制。具体研究内容如下:1.选用共振波长在可见光区及近红外区可调并且能够产生较强局域场增强的金纳米双锥来研究热电子效率,对金纳米双锥的制备过程进行了研究。利用种子生长法合成了金纳米双锥,经过银再生长、排空相互作用诱导的自分离、银刻蚀等过程对合成的金纳米双锥进行了提纯。提纯后的金纳米双锥具有高度的形状及尺寸均一性。通过调控种子溶液与生长溶液的体积比,实现了对金纳米双锥纵向LSPR波长的调控,其纵向LSPR波长可从650 nm调控800 nm左右。2.制备了Au/CdSe杂化结构并研究了包覆形貌对热电子效率的影响。在金纳米双锥的基础上,经过包银、硒化、阳离子交换几步制备了Au/CdSe杂化结构。通过调控硒化过程中硒前驱体的滴加速度及用量,实现了CdSe在金纳米双锥外的全包覆及两端的选择性包覆。进而研究了两种形貌的Au/CdSe的热电子效率,实验结果表明选择性包覆的结构具有更高的效率。这主要是由于金纳米双锥两端具有显著的电磁场增强效应,有利于激发热电子,而选择性包覆的结构可以充分利用两端的电磁场。3.研究了界面结构对热电子效率的影响。制备了Au/CdS杂化结构并研究了形貌相同的Au/CdS和Au/CdSe的热电子效率。实验结果表明,Au/CdSe较Au/CdS效率更高。利用密度泛函理论（DFT）计算对Au/CdS和Au/CdSe的界面电子结构进行了研究,揭示了两者热电子效率差异的原因。由于Au-S键较Au-Se键更强,导致Au/CdS界面处的电子的局域化程度更高,因而对于Au/CdSe结构,热电子更容易转移,效率更高。