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选用碱性硅酸盐溶液，对AZ31镁合金进行微弧氧化处理。利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析AZ31镁合金微弧氧化膜的表面相结构和形貌变化；
利用阳极极化和电化学阻抗谱(EIS)测量技术研究微弧氧化前后AZ31镁合金在不同pH值介质中浸泡不同时间的电化学腐蚀行为。
根据EIS测量结果的讨论，建立等效电路，并采用ZsimpWin软件对其进行拟合。
研究结果表明：
AZ31镁合金微弧氧化膜是由厚度为3μm的致密层和22μm的疏松层构成的双层结构膜，主要由MgO、Mg2SiO4和Mg2SiO3组成。
自然浸泡状态下，微弧氧化AZ31镁合金在pH6.1的0.1mol/LNa2SO4和3.5％NaCl溶液中发生均匀腐蚀，在pH12的0.5mol/LNaCl溶液中为自钝化一点蚀击穿过程；在三种溶液中的阳极极化行为均由原始的活化溶解转变为钝化.局部破坏过程，自腐蚀电流密度icoπ均比原始镁合金的降低1个数量级，微弧氧化后镁合金的钝化性能、抗点蚀性能和抗均匀腐蚀性能显著提高。
在0.1mol/LNa2SO4溶液中，微弧氧化前后AZ31镁合金的EIS均呈现两个容抗弧，微弧氧化膜的容抗弧直径与原始合金相比增大1～3个数量级；
在3.5％NaCl和pH12的0.5mol/LNaCl溶液中，微弧氧化前呈现一个容抗弧和一个感抗弧，感抗弧的出现表明电极反应过程中存在中间产物Mg+，微弧氧化后，呈现两个容抗弧和一个感抗弧，感抗弧由固体腐蚀产物膜的局部破坏引起，且容抗弧直径分别增大2～4和1～2个数量级；
同时中频区“峰”向低频方向移动的同时相位角平台变宽，相位角均提高10°左右，表明微弧氧化膜阻碍了反应离子的扩散和迁移，电极反应速度降低。
在0.1mol/LNa2SO4溶液中，反应电极/电解质溶液界面的等效电路由浸泡中后期的R(C(R(C(R(CR)))))变成浸泡后期的R(C(R(CR)(CR)))，在3.5％NaCl、pH12的0.5mol/LNaCl溶液中，由初期的R(C(R(CR)))变成中后期的R(CR(CR)(CR(LR)))。随浸泡时间的延长，容抗弧直径减小、高频区“半峰”相位角降低、中频区“峰”相位角平台变窄以及微弧氧化膜的电阻Rc和电极反应电阻Rt的减小，均说明膜的保护作用下降。
在含有活性阴离子Cl-的两种溶液中，Rc值相近，且比Na2SO4溶液中的增大1～3个数量级，微弧氧化膜的稳定性较好；
Rt值却减小1～3个数量级，电极反应速度加快，说明在发生局部腐蚀的情况下，EIS的特征主要决定于孔核区域的电化学行为。