低温共烧陶瓷技术（Low Temperature Co-fired Ceramic LTCC）是近年来兴起的一种令人瞩目的多学科交叉的整合组件技术,以其优异的机械、电子及热力特性已成为未来电子元件集成化、模组化的首选方式。LTCC技术的核心是研制能与高导电率Ag、Cu、Ni等电极共烧的微波介质陶瓷。目前使用的微波介质陶瓷的烧结温度都比较高（>1300°C）,把微波介质陶瓷的烧结温度降至Ag或Cu的熔点以下已成为今后的研究方向。CaO-La₂O₃-Li2O-Nd₂O₃-TiO₂ （简写为CLLNT ）是由Ca0.6La0.8/3Ti3和Li1/2Nd1/2TiO3两种频率温度系数相反的材料复合而成,并具有优良的介电性能:介电常数εr为105,品质因数Q·f为7000GHz,频率温度系数τf为4.5ppm/℃,只是其烧结温度过高,远不能满足与Ag、Cu共烧。为降低成本,一般采用添加烧结助剂的方法来降低烧结温度。ZnO-B₂O₃-SiO₂（简称ZBS）玻璃、ZnO-B₂O₃-La₂O₃ （简称ZBL）玻璃都具有较低的软化点,最近几年被作为Ca[（Li1/3Nb2/3）0.95Zr0.15]O3+δ、MgTiO3-CaTiO3、BaTi4O9等微波介质陶瓷的烧结助剂,能显著降低体系的烧结温度。但是CLLNT陶瓷掺杂助烧研究却未见报道。因此,本文通过在CLLNT陶瓷中添加ZBS、ZBL、LiF,旨在降低该体系烧结温度,同时保持良好的介电性能,并初步探讨了烧结助剂的掺入对体系烧结特性、相组成、微观形貌和介电性能的影响。1. ZBS玻璃和ZBL玻璃助烧选用ZnO, B₂O₃, SiO₂, La₂O₃合适的配比制成ZnO-B₂O₃-SiO₂（ZBS）玻璃、ZnO-B₂O₃-La₂O₃（ZBL）玻璃,分别加入适量的ZBS、ZBL玻璃作为烧结助剂可以使CLLNT陶瓷的烧结温度由1400°C降至1050°C。玻璃的掺杂没有改变CLLNT陶瓷的主晶相。添加4wt%ZBS玻璃的CLLNT陶瓷获得最佳介电性能:εr= 76,tanδ= 0.0078,τf = 8ppm/°C（1MHz）;添加15% ZBL玻璃的CLLNT陶瓷获得最佳介电性能:εr=66,tanδ= 0.0078,τf =–6ppm/°C（1MHz）。2. ZBS玻璃和LiF复合助烧单独添加ZBS玻璃和ZBL玻璃只能将CLLNT陶瓷的烧结温度降至1050℃,而介电常数从105分别降到76、66。复合添加4%ZBS-1%LiF可将陶瓷的烧结温度进一步降低至1000°C,并且介电常数相对较高。复合烧结助剂的加入仍未改变CLLNT陶瓷的钙钛矿结构,添加4%ZBS-1%LiF的CLLNT陶瓷在1000℃烧3h结获得最佳介电性能为:εr=98,Q·f =1386GHz,τf =42ppm /°C（4GHz）。