碳化硅作为新一代半导体材料，具有优越的电学性能，包括宽禁带、高击穿电场、高饱和漂移速度和高热导率，这些特征使得SiC器件可以工作在高温、高功率和高频等特殊条件下。同时碳化硅具有硬度高、脆性大、抗冲击性差等特点，使其加工难度极大，现有加工方法存在着加工质量不够高或者效率较低的缺点。　　超声辅助电化学机械抛光是一种复合了超声振动、电化学以及磨粒机械作用的综合型抛光技术，流场状态复杂且抛光机理尚不明确。通过对其抛光过程进行流场、温度场、电化学场仿真分析与实验研究，得到不同工艺参数对抛光过程的影响规律，为碳化硅的高效超精密加工提供重要的理论指导。　　首先是流场仿真分析，建立fluent流场模型，分析超声振动的振幅、频率、流场膜厚以及带孔抛光垫等因素对流场绝对压强、流速、气含率以及试件磨损量等参数的影响规律。结果表明：空化作用主要发生在试件下表面，边缘较弱且会受到流体和磨粒反复“冲刷”；振幅、频率、膜厚对流场性能有重要影响，存在最优值；磨粒种类、直径以及浓度对磨粒磨损效果有重要影响；带孔抛光垫能够起到缓冲作用，使流场性能更加平稳，有利于加工质量的稳定。　　然后进行温度场和电化学仿真，温度直接影响饱和蒸气压的改变，进而影响空化作用，电场的电压、电流密度、能量密度分布直接影响试件抛光过程中化学反应速率。电极的钝化与试件材料的溶解去除速率直接相关。结果表明：温度场变化过程中，摩擦热相对于试件与抛光液的冲击热很弱；试件表面附近的抛光液温度在上升过程中一直周期性波动，在波动中上升，开始稳定后波动逐渐减小；使用带孔抛光垫后，流场导电性能下降，电场参数在试件中形成环状分布，小孔处压降大，电流密度大；抛光液的浓度对电场各参数分布有着显著影响；外加电压较小时，试件表面易发生钝化，增大外加电压，电极钝化消失，试件表面电化学反应加快。　　最后，改进实验机，通过对压力、摩擦力、流场电阻以及温度进行实时数据采集，获得超声振动、直流电压、磨粒悬浮液等因素的正交实验数据，进行分析。实验结果表明：加载力增大使得机械作用显著提高，去除率显著增大，但表面加工质量无法保证；其次催化剂、电场、超声振动使去除率和试件表面质量都有明显提高；使用绒布抛光垫后表面质量显著提高，同时去除率也明显降低。