忆阻器作为除电阻、电容、电感外的第四种无源器件,兼具信息储存和逻辑运算功能,在大数据存储以及模拟神经网络方面有着很大的应用前景。瞬态电子器件是指在完成指定功能后,其物理形态和功能可以在外界刺激触发下立即发生部分或者完全消失的一种新兴电子器件。本文将忆阻器与瞬态电子相结合,研究可溶解型瞬态忆阻器件。以铜（Cu）为顶电极、非晶硅（a-Si）为中间层、钨（W）为底电极制备Cu/a-Si/W交叉杆结构忆阻器,并对器件的阻变性能、阻变机理和可溶解性能进行研究。首先对忆阻器所用可溶解电极、中间层和衬底材料进行了研究。发现导电性能优异的金属材料Cu具有良好的可溶解性能,可作为导电细丝型忆阻器的活性电极,并结合X射线光电子能谱（XPS）对Cu的溶解机理进行了分析。选择与半导体工艺兼容的a-Si作为忆阻器中间层材料,选择聚乙烯醇（PVA）作为衬底材料,并分别对其可溶解性能进行了分析。在Si/SiO₂衬底上制备Cu/a-Si/W忆阻器并对其阻变特性和机理进行了研究。比较分析了中间层的制备方式、中间层厚度以及底电极厚度对器件性能的影响,确定了Cu（80 nm）/a-Si（30 nm）/W（60 nm）交叉杆结构忆阻器。该器件的高阻态（HRS）和低阻态（LRS）比值大于40,能够稳定循环10²次以上,HRS和LRS阻值能够保持10⁴ s以上,具有非易失性。实验表明器件具有模拟突触增强、突触抑制和双脉冲易化等神经突触的功能。结合变温测试结果,分析确定器件的阻变机理为导电细丝的形成和断裂。在PVA衬底上制备出可溶解Cu/a-Si/W忆阻器件并对其阻变和可溶解性能进行了研究。比较分析了底电极厚度对器件性能的影响,确定了Cu（80 nm）/a-Si（30nm）/W（100 nm）的结构。该结构的器件能够稳定循环20次以上,HRS和LRS比值大于5,且SET电压(V_SET)和RESET电压(V_RESET)在-1.5-1.5 V范围内能保持相对稳定,具有电阻开关特性。PVA衬底上的器件在脉冲操作的刺激下能够模拟突触增强、突触抑制特性和双脉冲易化,且在去离子水中6 min内可溶解消失,具有良好的可溶解性能。此外,对转移法制备可溶解忆阻器进行了研究。通过水辅助法,利用热释放胶带将器件从Si/SiO₂衬底上转移到柔性衬底PVA上,转移后的器件置于去离子水中在200 s内可溶解消失。