蚀刻在半导体工艺中主要负责图形转换的过程,线宽的变窄对工艺的稳定性提出了相当高的要求。90nm以下的产品,对各方面要求都提高了,原先可以忽略的小的缺陷现在都是会影响良率的关键缺陷。原先可以接受的腔体条件的变化现在已经不能满足要求了。本论文通过对蚀刻反应腔内部件的状况对腔体的条件影响的研究,找到关键的指标来判断什么样的部件状况会影响腔体的条件,最终影响良率。如压力,温度,气体流量和射频电源的功率大小。从这几个影响腔体制程条件最大的因素出发,先介绍腔体内部的关键部件以及关键部件对制程影响。并找到腔体内关键的部件对这些因素的影响。Liner涂层厚度,种类,粗糙度都直接影响制程条件。ESC作为晶圆的控温单元决定了晶圆温度对晶圆品质有决定性的作用。Insert ring在12寸的蚀刻中起到控制晶圆均匀性的作用。这些部件的关键参数会直接影响制程条件,通过了解这些影响关系,我们就可以找到一些控制部件状况的指标,并对产线上因为这些部件造成的产品异常进行阐述和深入分析。从而找到相关的腔体部件关键指标的控制方法,使每片产品都能在一个控制很好的腔体里进行生产。提高腔体的稳定性和更好的制程条件,最后得到稳定的高质量的产品。本文主要通过对干法蚀刻的原理介绍,制程关键参数的介绍和干法蚀刻主要设备以及设备腔体内部件的介绍。了解基本的相关关系,通过实际工作上碰到的一些问题,研究现象的本质。从而总结了一些腔体里关键部件的一些关键参数,对产品良率的提高提供了很好的方向,再通过一些DOE的实验找到控制这些参数的方法。对部件的材质,尺寸,表面涂层,以及表面涂层的原材料和涂层表面的粗糙度厚度做了深入的研究。并有一些实例来验证。