两步法制备钴掺杂氧化锌纳米棒光学性能的研究

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近年来低维度纳米结构半导体材料的研究越来越引起人们的重视,并逐渐显示出其在这一领域的潜在优势。氧化锌(Zinc oxide,简称ZnO)是一种非常好的Ⅱ-VI族直接带隙氧化物半导体材料,在常温下禁带宽度约为3.37eV,电子激发结合能高达60MeV,光增益系数达300cm-1。基于在诸多方面表现出的优良性能,目前,氧化锌在光催化材料、压电材料、纳米激光、表面声波器件、波导、光学开关、紫外光探测器、太阳能电池等领域都有十分广阔的应用前景,氧化锌在当今社会可以说是一种具有巨大应用潜力的新型材料。
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