多晶硅太阳电池作为一种低成本、高效率、广泛应用的太阳电池会在未来较长时间内保持主流地位。在目前光伏市场产能过剩，价格下跌背景下，各太阳电池生产厂商均积极采措施，通过各种工艺改进手段提高其多晶硅电池片的转换效率。目前多晶硅电池表面制绒工艺优化是提高电池转化效率的有效方法之一，且成本较低。本论文对多晶硅片的表面结构进行了研究，提出现有工业化生产制绒工艺存在的问题，采用酸腐蚀液调节方法优化多晶硅表面结构，以达到降低多晶硅表面反射率的目的。工业上一般采用酸腐蚀工艺实现多晶硅表面绒面结构，主要是利用酸在多晶硅表面腐蚀是各向同性的，即不同晶面腐蚀速度相同。本文在上海神舟新能源多晶硅电池生产线上，研究了其HF-HNO₃制绒工艺，发现目前工艺技术控制要求高，难度大，获得的多晶硅表面反射率尚不理想。本文通过分析上海神舟新能源的多晶硅电池样品的SEM图，认为普通制绒工艺得到的多晶硅电池表面陷阱坑浅而大，表面反射率高达31.8%以上。本文认为需要对现有的HF-HNO₃配方进行改进，拟使用氧化性较弱的NaNO₂作为氧化剂替代HNO₃。通过实验发现经过HF-NaNO₂腐蚀液腐蚀，可以获得良好的多晶硅电池表面绒面结构，即呈“蚯蚓状”，密度分布均匀、深度较深，表面反射率下降到了23.8%，比现有工艺低了约8%。故实验表明用硝酸纳代替硝酸对多晶硅表面刻蚀，可以获得低表面反射率的绒面。