【摘 要】
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基于扇出型晶圆级封装的超薄层叠封装和挠性电子互联等技术,可满足消费类电子产品对于轻薄化和小型化的需求,在未来智能电子系统领域具有重要应用前景,而聚合物材料表面金属化是超薄Po P封装、挠性电子互联等实现后续互联电路制备的关键技术之一,受到行业的广泛关注,其研究热点有金属化层的电气性能、镀层与基板的结合力等。论文基于实际需要,研究了SiO2填充型环氧树脂基板和PET基材两种材料表面化学镀铜沉积技术。
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基于扇出型晶圆级封装的超薄层叠封装和挠性电子互联等技术,可满足消费类电子产品对于轻薄化和小型化的需求,在未来智能电子系统领域具有重要应用前景,而聚合物材料表面金属化是超薄Po P封装、挠性电子互联等实现后续互联电路制备的关键技术之一,受到行业的广泛关注,其研究热点有金属化层的电气性能、镀层与基板的结合力等。论文基于实际需要,研究了SiO2填充型环氧树脂基板和PET基材两种材料表面化学镀铜沉积技术。SiO2填充环氧树脂基板属于有机-无机复合材料,表面形貌的差异直接影响着化学法镀铜层与基板之间的结合力,而表面处理改性是行业主流技术。本实验采用化学微蚀技术,探讨了SiO2填充环氧树脂基板表面改性工艺参数与沉积铜层界面结合力之间的变化规律,通过对改性基板热处理工艺优化、表面形貌润湿性测试、以及粗糙度研究,优化出SiO2填充环氧树脂基板最佳表面处理参数,提出了镀铜层与环氧树脂基板失效机理,为该技术在IC通孔塑封技术中的应用建立了理论基础。结果表明,当表面处理时间为15 min时,表面形成特殊的球隙承插结构,可显著提高界面的结合力。经过化学镀铜实现表面金属化后的基板在经过电镀加厚、以及后期图形制作,不同镀层相结合制成了抗剥图形,并将热处理前后的抗剥图形进行抗剥测试,测试结果表明经过热处理后结合力由0.19 N/mm,提升至0.47 N/mm,界面失效方式由内聚失效和界面失效变为单纯的内聚失效。并将该技术用于塑封通孔内金属种子层的制作,经过10次回流焊后,种子层与SiO2填充环氧树脂的结合良好。在PET基板表面实现化学铜沉积,基板表面活化技术是获得良好镀层的关键技术之一,本工作通过配制钯基改性油墨来实现PET表面接枝改性并经过等离子活化处理后催化铜的沉积。主要探究了空气等离子处理过程对改性层的粗糙度、润湿性能、表面化学状态的影响以及化学镀铜处理后,镀层的导电性能、抗疲劳性能和界面结合性能。研究发现,等离子处理过程不仅将改性层中的Pd2+还原为具有催化性能的金属钯、改善了界面的润湿性能,同时表面生成的网状纳米结构增加了界面的粗糙度,进而提高界面结合力。经过1 h的镀覆处理后,沉积铜层的电阻率为2.26×10-6Ω·cm,镀铜层与PET基材的界面结合力为5 B等级。
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