硅基半导体材料因具备热导率高、键合能高、击穿场强高等优良性能,在航空航天、国防及民用等领域中应用得越来越多,但对其表面质量也提出了更高的要求,这给加工技术带了严峻的挑战。在实际应用中,缺陷普遍存在于硅基材料中,鲜有理论模型和实验手段对其精确分析及预测。现有研究主要是对完整硅基材料进行分析,往往忽略了缺陷的存在对加工的影响。本论文的研究内容是硅基材料中的缺陷对大气等离子体抛光加工的影响。以最为常见的刃型位错和螺旋位错为典型结构进行分析。利用量子化学模拟计算手段进行仿真分析,建立了4H-SiC超晶胞结构及含有两种典型位错的模型,通过比较态密度、平均电子数、活化能及反应能垒等参数,揭示了位错的存在会促进晶体被刻蚀,进而进行实验验证。通过对位错密度不同的两种样品进行检测,在相同的工艺参数下进行等离子体抛光实验,分析去除量、表面形貌等参数,得到了位错的存在有利于提高加工效率的结论,验证了理论仿真结论。基于考虑了位错结构的理论模拟结果及实验检测数据,修正了驻留函数模型,进行了抛光加工实验,较好地实现了对位错影响的理论预测和加工补偿。本文通过对位错影响的理论模拟及实验分析,揭示了缺陷结构对大气等离子体化学刻蚀过程的影响,并指导了去除函数的修正,有助于提高加工精度和表面质量,具有重要的科学意义和应用价值。