金属、金属氧化物半导体一维纳米结构制备及物性研究

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本文对于一维金属纳米管(或同轴电缆)、金属氧化物纳米结构的可控合成及其相关物性,我们做了一系列的研究,采用阳极氧化的方法,我们在草酸和硫酸水溶液中制备了具有六角密排孔洞结构的氧化铝膜。研究了大气中退火和电解液浓度对其光致发光的影响。电化学沉积一维合金纳米有序阵列,我们发展了一种基于模板的电化学共沉积方法制备Ni/Cu纳米同轴电缆有序阵列,并通过电化学去合金方法去除纳米同轴电缆中的铜核,从而获得了Ni纳米管有序阵列。Ni/Cu纳米同轴电缆和Ni纳米管显示出单轴磁各向异性,其易磁化方向沿着纳米管(或同轴电缆)的轴线方向。   采用基于模板的电沉积方法,我们还成功制备了Cu-Se合金纳米线有序阵列,并分析了影响Cu-Se合金纳米线填充率和结晶度的一些电沉积参数,丰富了Cu-Se合金纳米材料的制备方法。       我们首先采用热蒸发的VLS机制制备了宽面为极性面的ZnO纳米带,然后经过化学溶液法,在ZnO纳米带的两个宽面上外延生长了ZnO纳米棒阵列,形成ZnO分级纳米结构-“纳米毛刷”。应用负离子配位多面体生长基元模型,分析了ZnO纳米棒在纳米带宽面生长的机理,认为四面体生长基元[Zn-(OH)4]2-由于中心原子锌的不对称分布,具有偶极子特性,偶极相互作用促进了四面体生长基元在ZnO两个极性面上的叠合生长,从而外延生长出长柱形的ZnO纳米棒。
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