【摘 要】
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随着半导体功率器件和封装产业的蓬勃发展,功率MOSFET发展趋势朝向大功率、小尺寸、更快速及散热更好。而提高散热性能最重要的途径是降低产品热阻。本文主要研究了功率MOSFE
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随着半导体功率器件和封装产业的蓬勃发展,功率MOSFET发展趋势朝向大功率、小尺寸、更快速及散热更好。而提高散热性能最重要的途径是降低产品热阻。本文主要研究了功率MOSFET封装散热材料和结构、封装热阻的物理意义以及测量技术,对如何改进封装热阻进行了详细的分析。在广泛调研的基础上,本文对SO-8 MOSFET器件的封装热阻改进的原理、设计、模拟、制备流程、测试进行了较全面的研究,以业界SO-8先进改进结构为参考,提出来适合所在工厂的封装改进方案;对新的封装改进样品进行了抽样热阻测试,实验结果显示该热设计方案是可行的,Rthja降低接近50%,Rthjc降低了近70%。相信在运用到大规模生产后,将大大提高公司产品的竞争力,适应低功耗趋势,为社会节能做贡献。本文对其他封装的热阻改进也有很好的指导作用。
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