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量子点发光二极管(Quantum-dot Light-emitting Diodes, QLED)，具有光谱覆盖范围宽、色纯度高、能耗低等优势，在智能手机、大尺寸超清显示屏和高端照明等领域有着广阔应用前景，尤其在宽色域发光器件方面表现出色，可望成为下一代主流发光显示技术。但目前，对于QLED的研究大部分还处于实验室阶段，为了实现工业化生产，还有很多问题需要解决。其器件效率低的主要原因是载流子注入不平衡，一般最常见的问题是空穴的注入和传输效率较差。目前，研究最多的QLED为半透明器件，且最常用的阳极材料是锡掺杂氧化铟(ITO)，最常用的阴极材料是铝(Al)和银(Ag)等。近年来人们对透明电极的研究非常广泛，其中最为常见的透明导电极有石墨烯(Graphene)、铝掺杂氧化锌(AZO)、氟掺杂氧化锡(FTO)等。作为透明电极不仅需要具有较高的透过性还要有较高的导电性。 本研究主要内容包括：⑴不同溅射功率条件下制备的AZO薄膜呈六角纤锌矿结构，晶粒沿(002)方向择优生长，且制备出高透过率和高导电性的薄膜。AZO薄膜的透过率在532 nm处介于74.89％和88.41%之间；方阻随着溅射功率（从80 W到200 W）的增大而减小，可以控制在174.70Ω/□-2.95Ω/□的范围内，且AZO薄膜的功函接近5.00eV。⑵将不同溅射功率的AZO透明导电薄膜作为阳极用于 QLED器件，并构筑了绿光QLED器件。研究结果可知，AZO薄膜溅射功率为125 W时，绿光QLED器件性能最佳。当AZO溅射功率大于100 W时，其器件的空穴注入能力高于以ITO为阳极的器件的空穴注入能力，且AZO功率为125 W和150 W条件下器件的电子空穴注入更加平衡。随后我们又对溅射功率为125 W的AZO薄膜作为阳极的QLED器件的各层条件进行优化。优化后的绿光QLED器件的最大亮度达87180cd/m2，最大电流效率达34.90 cd/A，并且优化器件的最大外量子效率(EQEmax)达8.71%。⑶用磁控溅射法制备AZO透明导电薄膜替代QLED器件中不透明电极的阴极材料（Al或Ag等），并构筑全透明绿光QLED器件。并探究了不同溅射功率AZO透明导电薄膜对全透明绿光QLED器件性能的影响，结果可知AZO薄膜溅射功率为100 W时器件性能最佳，其绿光全透明QLED器件在532 nm处的透过率为83.83%。全透明器件顶端发光最高亮度达19200cd/m2，最高电流效率为8.82cd/A；器件底端发光最高亮度达21000cd/m2，最高电流效率为8.00cd/A；且全透明器件的亮度达40200cd/m2，电流效率为16.82cd/A。研究表明，氧化锌厚度可以有效的改善磁控溅射对器件的损害，且当氧化锌转速为1500rpm条件下器件的电子-空穴注入更加平衡，器件性能较好。