双频容性耦合等离子体（Dual-Frequency capacitively coupled plasma）由于可以独立控制离子通量和离子能量,且结构简单,成本较低,在集成电路的刻蚀工艺以及等离子体清洗等方面有着非常广泛的应用。本文通过DF–CCP装置制备了氩氧混合等离子体,其中高频频率为94.92 MHz,低频频率为13.56 MHz,讨论了等离子体放电特性随着高频功率,低频功率,气压和混合气体比的变化。第一部分工作,固定放电气压50 mTorr,Ar/O₂混合比1:9的条件下,对氩氧混合等离子体的发射光谱进行了分析。用双谱线强度比法计算了电子温度,采用PIC-MCC（Partical-in-cell and Monte-Carlo）数值模型,模拟得到了电子温度、电子密度、电势和电场分布。结果表明:数值模拟电子温度与实验计算结果吻合较好,电子温度随高频功率的增加而降低,随低频功率的增加而升高;电子密度随高频功率的增加而增大,随低频功率的增加而减小;鞘层宽度受高频功率影响较大;电场电势峰值受高频功率影响较大。第二部分工作,在低频功率和高频功率固定为60 W的情况下,分析了不同气压和不同Ar/O₂比时的氩氧混合等离子体的放电光谱,用双谱线强度比法计算了电子温度,采用PIC-MCC数值模型,模拟得到了电子温度、电子密度、电势和电场分布。结果表明:电子温度的数值模拟结果与实验结果均得到了相同的趋势,电子温度随着气压的增加先降低后升高,随着Ar含量的增加线性降低;电子密度随着气压的增加先增大后减小,随着Ar含量的增加而线性增大;气压与鞘层关系较为明显,随着气压的增大,鞘层变薄;电场电势峰值受气压影响较大。本文使用实验和数值模拟方法相结合,较为系统地研究了不同实验参数变化时混合等离子体的放电特性,为下一步推广到应用做了基础性研究,提供理论上的支持。