有机发光二极管(OLED)因其制备工艺简单、选材范围广泛、轻薄如纸等优势,从而在显示和照明等方面显示出了巨大的应用前景。尽管人们已经开发出了种类丰富的有机发光材料及器件,但是到目前为止,商业化的OLED还局限于含有贵金属(铱或铂等)的磷光OLED,这势必会增加制作成本,从而无法广泛地在各领域使用。因此,如何开发低成本且高效率OLED的课题应运而生。最新的研究发现,一些特殊的电荷转移(CT)态器件中可发生反向系间窜越(RISC)过程,从而产生延迟荧光,最终得到了较高的外量子效率。由于三重态激子湮灭(TTA)过程也可以产生延迟荧光,所以有时RISC和TTA共存可使荧光OLED中三重态的利用更充分。对于RISC和TTA共存的荧光OLED而言,通过常规手段很难区分出延迟荧光来源于哪种演化过程。而有机磁致发光(MEL)作为一种新的探测方法,能够有效识别出器件内部不同的自旋混合过程本论文首先利用MEL对RISC和TTA共存体系的各种微观机制进行了深入探究。通过与常规器件对比常温下MEL以及其MEL随外界条件的变化,定性地分析出产生该MEL的中发生了哪些自旋相关过程。然后,在此基础上微调器件结构,改变掺杂比例以及对所有器件进行降温处理,半定量地分析出掺杂浓度和工作温度对MEL的影响。本论文可分为:(1)第一章首先简要介绍了OLED的研究进展与基础知识,并阐述了有机磁场效应(OMFE)的研究背景与几个主要的理论模型,如“超精细相互作用模型”、“TTA模型”、“双极化子模型”、“三重态-电荷作用(TCA)模型”等。第二章详细介绍了本实验室OLED样品的制备技术以及OMFE的测量方法。(2)第三章选用典型的分子内CT材料DCJTB和激子型材料Alq3,分别制备了结构为ITO/m-MTDATA/NPB/mCP:DCJTB/BCP/Li F/Al的掺杂型CT态器件和结构为ITO/m-MTDATA/NPB/Alq3/Li F/Al的常规激子型器件,并测量了这两个器件在20K~300K温度范围内的MEL。实验结果显示,DCJTB器件的MEL表现出了与参考器件的MEL相反的线型,即先快速下降再缓慢下降,其中在低场范围内的MEL由RISC过程主导,而高场部分则由TTA过程主导。此外,我们还通过讨论外加偏压和工作温度对DCJTB器件MEL的影响,定性分析了该奇特MEL背后的微观机制。(3)为了更好地认识CT态器件,在上述研究的基础上,我们器件结构进行了适当调整,选用了更有利于空穴注入的PEDOT:PSS来替换m-MTDATA,并改变客体材料DCJTB的掺杂比例,制备了掺杂比重分别为20%、14%、10%、7%、5%的一系列CT态器件。为了更加全面地分析器件的内部机理,我们还测量了不同器件的MEL曲线随温度的变化。实验结果表明,在低场范围内的MEL随着掺杂浓度降低由上升转换为下降,且下降幅度越来越大;在高场范围内的MEL则一直下降,且单调递增。低场的下降趋势由RISC过程主导,而高场的下降趋势则由TTA过程主导。另外,掺杂浓度和工作温度对RISC和TTA共同产生的延迟荧光磁效应也有重要影响,我们认为低掺杂浓度和低温更有利于增大器件中三重态的寿命和浓度,从而可以更充分地利用三重态产生延迟荧光。