随着手持电子通信设备的普及,尤其是近几年平板电脑和智能手机的流行,市场对电源管理芯片的需求量越来越大。据行业研究机构IHS iSuppli统计,2011年电源管理芯片市场销售额约为331亿美元。在电源管理芯片市场中,低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator, LDO)的占比在10%左右。随着芯片电源电压的下降,芯片对电源纹波的敏感度大大提高,这就需要具有高电源抑制特性(Power Supply Rejection, PSR)的电源。高电源抑制比LDO的特性恰好符合这种要求,所以,本文设计了一款最大输出电流为150mA,具有高PSR的低压差线性稳压器。首先,本文讨论了高电源抑制比LDO的实现方法。着重分析了使用单级功率管LDO在全频率范围内的电源抑制特性,列举了几种已经发表的高电源抑制比LDO的电路结构。然后,本文分析了LDO的环路补偿方法,讨论了几种补偿方法的优劣。最后,本文采用UMC0.5μm LVT CMOS工艺设计了一款高电源抑制比LDO。LDO的设计输入电压为2.5V到5.5V,输出电压为2V到3.6V,最大负载电流150mA。通过对电路在各个工艺角、不同温度和电压仿真,表明此款LDO在10kHz频率时,电源抑制比小于-80dB,在全频段内电源抑制比小于-40dB。