随着光电产业的发展,Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体光电材料ZnO受到了科研人员的青睐,其成本低、性能稳定、易于掺杂、容易满足各种光电设备的需求,应用于紫外光电器件,因此被广泛研究。应用第一性原理计算,我们探讨了纤锌矿ZnO与BexZn1-xO三元混晶的晶格常数、电子结构与光学性质,论文首先简介ZnO晶体的性质、应用及研究进展,接着简介密度泛函的基本理论,最后将ZnO与BexZn1-xO晶格结构优化后,我们得到了组分x取不同值时稳定结构的晶格常数,并进一步计算了材料的电子结构和光学性质随混晶组分x的变化情况。我们通过计算得出,BexZn1-xO三元混晶的晶格常数a与c都随Be组分的增加而减小,遵守维加德定律,与实验值相符合。BexZn1-xO三元混晶带隙值随Be浓度增大而增大,而我们计算之后的带隙值远比实验值小很多,故对带隙做了进一步修正,结果与实验值基本一致。态密度的计算表明,BexZn1-xO能带价带顶由O-2p态电子占据,导带底是由Zn的4s电子态占据,随着Be组分的增加,在导带范围内的Zn-4s态也不断地移向高能量的方向,而随着Zn组分的减少,Zn-4s态的态密度强度就会变低,使带隙变宽。随着Be组分增加,BexZn1-xO三元混晶的折射率和反射率都在减小,吸收光谱出现了蓝移现象。