与氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜材料具有不可避免的光致衰退效应相比，硅锗薄膜作为窄带隙材料，能够提高太阳光的吸收效率，从而提升薄膜太阳电池的转换效率。在力求降低成本，提高效率以及节能减排的大背景下，硅锗薄膜材料已成为研究的热点。本文采用SiH4+GeH4作为反应气体在高纯H2稀释的情况下，运用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了非晶硅锗薄膜材料样品。通过控制变量法，研究了锗烷浓度、氢稀释率、衬底温度、辉光功率和反应气体压强对薄膜样品的微结构、光学特性和电学特性的影响，并对参数进行优化。经过实验制备薄膜样品及测试分析得出以下结论：在实验室制备的过程中，衬底温度保持在350~400℃，辉光功率为30W，氢稀释率为96%，锗烷浓度固定在5%，腔室内反应气体压强保持在100Pa时，可以获得光电性能较好，结构较理想的非晶硅锗薄膜材料。在此工艺条件下制备的薄膜材料，生长过程中沉积速率能达到0.45nm/s，光、暗电导率能够相差2-3个数量级，即材料具有较理想的光敏性。