集成电路(IC)技术逐渐向超深亚微、纳米时代演进，由复杂制程带来的材料特性、结构尺寸等工艺变化，已成为IC设计与校验中的重要议题和热点问题。但对互连寄生效应随机部分之统计特征的分析目前可用方法较少且难敷其用，论文所研究的随机有限元方法(SFEM)是解决该问题更为有效的方法。　　 本文将源自结构力学领域的SFEM，特别是谱随机有限元法(SSFEM)引入电磁场数值计算之中，以分析材料特性随机性对互联寄生参数的影响，给出详细的SSFEM实施格式：根据随机场理论，使用卡亨南-洛维展开法或正交级数展开法将随机场在概率空间进行离散；然后依照Neumann级数展开随机有限元法获得其控制方程；最后利用多项式混沌等空间正交基的变换形成相应的总体随机矩阵系统，它的解直接包括有随机响应量的确定性和随机性部分，进而可以处理得到目标量的概率分布特征。　　 作为对SSFEM的必要补充，本文还提出一种利用一阶、二阶敏感度分析建立近似模型的方法，以分析几何尺寸随机性对互联寄生参数的影响。　　 所得的离散模型和结论都利用蒙特卡洛抽样(MCS)方法进行了检验，并以拉丁超立方抽样(LHS)代替直接MCS，从而得到更优的抽样效率和更佳的分散度，亦可排序重置对多重随机变量进行相关性的选择。作为检验的最直接、最精准的数学工具，MCS的关键过程是符合一定概率分布之随机数的产生。　　 总之，对电子器件、电力设备中因设计、加工、制造、运行等因素引起的变异、摄动和不确定性的电磁场分析过程，SFEM或SSFEM都能合乎其用。