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由In Ga As材料制备的短波红外探测器因其具有成本低、灵敏度高、可靠性高等特点,被广泛应用于工业、医疗和军事领域。近些年,由于材料生长和制备工艺的快速发展,各个领域对In Ga As焦平面阵列(FPA)的性能要求和需求越来越高。串音是影响焦平面阵列的成像性能的关键性因素,因此,In Ga As焦平面阵列的串音研究越来越受到人们关注。在本文的前半部分,我们首先系统地介绍了在模拟中用到的理论模型公式,我们在模拟中使用了泊松方程、载流子连续性方程、传输方程和产生-复合理论模型等经典的公式模型。然后,为了验证理论模型的合理性,我们模拟了In Ga As焦平面阵列的量子效率。在得到了量子效率正确结果的基础上,我们分析了暗电流与探测器结构、吸收层厚度、掺杂浓度的变化关系,定量地给出了In0.53Ga0.47As/In P PIN探测器的p-i结的耗尽层厚度值和n-i结的耗尽层厚度值,以及两者的电势分布情况。结果表明:平面结构的暗电流小于台面结构;在我们设计的结构下,在吸收层厚度小于1.5?m时,暗电流随着吸收层厚度的增加而增大,而当吸收层厚度大于1.5?m时,暗电流将趋于稳定,不再变动;In Ga As探测器的暗电流在吸收层低掺杂时,随着掺杂浓度的增大而减小;p-i结的耗尽层的宽度和分压能力比n-i结的耗尽层要大,并得到结论:在进行In0.53Ga0.47As/In P PIN探测器的理论分析时,n-i结相对于p-i结可以忽略。在本文的后半部分,我们进一步地,定量计算了In0.53Ga0.47As/In P探测器焦平面阵列的电串音与光波波长、入射方向和台面的刻蚀深度的变化关系。结果显示:台面结构器件的电串音抑制性能比平面结构的要好;由于材料吸收深度和异质结耗尽层宽度的影响,短波长入射光的电串音比长波长要小,正照射光的串音比背照射光要小;此外,当台面结构的刻蚀深度穿透吸收层时,其电串扰几乎完全被抑制。研究结果提出了相应的In Ga As FPA的低串音设计。除了以上内容,本文还对Vis-SWIR In Ga As探测器的量子效率和上海技术物理研究所的两个测量串音的实验进行了模拟。