提高硅的发光效率是实现硅基光电集成的前提，镶嵌在二氧化硅介质中的纳米晶硅(nc-Si：SiO<,2>)是实现硅发光的一条重要途径。本论文研究了硅纳米晶的制备及其光致发光(PL)性质，重点探讨了硅纳米晶的荧光增强，取得了以下成果： 1．进一步研究了稀土元素铈的三价离子(Ce3<3+>)在硅纳米晶荧光增强中的应用，首创了一种利用CeF<,3>双面掺杂结合氢钝化的方法，使nc-Si：SiO<,2>的PL得到高达14.6倍的增强。双面掺杂的方法使Ce<3+>在nc-Si：SiO<,2>中实现了前后对称的分布，优化了Ce<3+>的扩散使nc-Si：SiO<,2>的PL 增强了7.3倍。氢钝化不仅进一步增强了nc-Si：SiO<,2>的PL，而且证明了Ce<3+>在荧光增强中的作用并非是由于其对Si和SiO<,2>界面悬挂键的钝化，而是能量传递。 2．引入离子轰击的方法研究nc-Si：SiO<,2>的PL及某些物理性质。发现Ar<+>轰击引入的缺陷主要由氧空位缺陷组成，它们对激发光具有强烈的吸收和散射作用，使nc-Si：SiO<,2>的发光剧烈减弱，通过解迭轰击后样品的PL谱，得到硅纳米晶的谱线，发现其峰位呈周期性振荡变化，证实了硅纳米晶的大小在nc-Si：SiO<,2>薄膜中随深度的增加而减小。这一方法的另一意义在于它为在nc-Si：SiO<,2>中引入辐射增强扩散(RED)提供了实验依据。 3．应用多层SiO/SiO<,2>的结构，实现了硅纳米晶大小的可控性，提高了硅纳米晶在样品中的浓度，增强了nc-Si：SiO<,2>的PL，并将双面掺杂结合氢钝化的方法应用于多层nc-Si：SiO<,2>，使其PL进一步增强，达到单层nc-Si：SiO<,2>PL 的将近100倍。初步探索了在SiO<,2>基底和SrTiO<,3>基底上制备多层nc-Si：SiO<,2>，研究了其PL谱，为nc-Si：SiO<,2>在更广阔的领域得以应用打下了一定的基础。